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5SDF14H4505

更新时间： 2024-01-29 11:22:49

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ABB		二极管快恢复二极管快速恢复二极管
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7页	239K
描述
Fast Recovery Diode

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5SDF14H4505 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	H, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	60000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1400 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4500 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

5SDF14H4505 数据手册

5SDF 14H4505

On-state

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

I_F(AV)MHalf sine wave, T_C= 85 °C

min

typ

max

1400

Unit

Max. average on-state

current

Max. RMS on-state current I_F(RMS)

2200

25×10³

Max. peak non-repetitive

surge current

I_FSM

t_p= 10 ms, T_vj= 125°C, V_R= 0 V

t_p= 1 ms, T_vj= 125°C, V_R= 0 V

Limiting load integral

I²t

3.13×10⁶A²s

60×10³

Max. peak non-repetitive

surge current

I_FSM

Limiting load integral

Characteristic values

Parameter

I²t

1.8×10⁶A²s

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

On-state voltage

Threshold voltage

Slope resistance

V_F

I_F= 2500 A, T_vj= 125°C

V_(T0)

r_T

T_vj= 125°C

I_F= 400...4000 A

1.2

0.32

Turn-on

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Peak forward recovery

voltage

V_FRM

dI_F/dt = 500 A/µs, T_vj= 125°C

Turn-off

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

max

1000

3700

1.6

Unit

Reverse recovery current

Reverse recovery charge

Turn-off energy

I_RM

Q_rr

E_rr

di/dt = 300 A/µs, I_FQ= 1000 A,

T_j= 125°C, V_RM= 4500 V,

µC

C_S= 3 µF (GTO snubber circuit)

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1110-02 Oct. 06

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