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5M1270ZT144I5N

更新时间： 2024-01-23 15:50:48
品牌 Logo 应用领域
阿尔特拉 - ALTERA 时钟LTE可编程逻辑
页数 文件大小 规格书
30页 452K
描述
Flash PLD, 10ns, 980-Cell, CMOS, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-144

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5M1270ZT144I5N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP, QFP144,.87SQ,20针数：144
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.2
其他特性：YES最大时钟频率：201.1 MHz
系统内可编程：YESJESD-30 代码：S-PQFP-G144
JESD-609代码：e3JTAG BST：YES
长度：20 mm湿度敏感等级：3
I/O 线路数量：114宏单元数：980
端子数量：144最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C组织：114 I/O
输出函数：MACROCELL封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装等效代码：QFP144,.87SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8,1.2/3.3 V
可编程逻辑类型：FLASH PLD传播延迟：10 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
子类别：Programmable Logic Devices最大供电电压：1.89 V
最小供电电压：1.71 V标称供电电压：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：20 mmBase Number Matches：1

5M1270ZT144I5N 数据手册

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3–6  
Chapter 3: DC and Switching Characteristics for MAX V Devices  
Operating Conditions  
Table 3–6. 3.3-V LVCMOS Specifications for MAX V Devices  
Symbol  
VCCIO  
Parameter  
I/O supply voltage  
Conditions  
Minimum  
3.0  
Maximum  
3.6  
Unit  
V
—
—
—
VIH  
VIL  
High-level input voltage  
Low-level input voltage  
1.7  
4.0  
V
–0.5  
0.8  
V
V
CCIO = 3.0,  
IOH = –0.1 mA (1)  
CCIO = 3.0,  
IOL = 0.1 mA (1)  
VOH  
High-level output voltage  
Low-level output voltage  
VCCIO – 0.2  
—
—
V
V
V
VOL  
0.2  
Note to Table 3–6:  
(1) This specification is supported across all the programmable drive strength settings available for this I/O standard, as shown in the  
MAX V Device Architecture chapter.  
Table 3–7. 2.5-V I/O Specifications for MAX V Devices  
Symbol  
VCCIO  
Parameter  
I/O supply voltage  
Conditions  
—
Minimum  
2.375  
1.7  
Maximum  
2.625  
4.0  
Unit  
V
VIH  
VIL  
High-level input voltage  
Low-level input voltage  
—
V
—
–0.5  
2.1  
0.7  
V
IOH = –0.1 mA (1)  
IOH = –1 mA (1)  
IOH = –2 mA (1)  
IOL = 0.1 mA (1)  
IOL = 1 mA (1)  
IOL = 2 mA (1)  
—
V
VOH  
High-level output voltage  
Low-level output voltage  
2.0  
—
V
1.7  
—
V
—
0.2  
V
VOL  
—
0.4  
V
—
0.7  
V
Note to Table 3–7:  
(1) This specification is supported across all the programmable drive strength settings available for this I/O standard, as shown in the  
MAX V Device Architecture chapter.  
Table 3–8. 1.8-V I/O Specifications for MAX V Devices  
Symbol  
VCCIO  
Parameter  
I/O supply voltage  
Conditions  
Minimum  
1.71  
Maximum  
1.89  
Unit  
V
—
VIH  
High-level input voltage  
Low-level input voltage  
High-level output voltage  
Low-level output voltage  
—
0.65 × VCCIO  
–0.3  
2.25 (2)  
0.35 × VCCIO  
—
V
VIL  
—
V
VOH  
IOH = –2 mA (1)  
IOL = 2 mA (1)  
VCCIO – 0.45  
—
V
VOL  
0.45  
V
Notes to Table 3–8:  
(1) This specification is supported across all the programmable drive strength settings available for this I/O standard, as shown in the  
MAX V Device Architecture chapter.  
(2) This maximum VIH reflects the JEDEC specification. The MAX V input buffer can tolerate a VIH maximum of 4.0, as specified by the VI parameter  
in Table 3–2 on page 3–2.  
MAX V Device Handbook  
May 2011 Altera Corporation  
 
 
 
 
 
 
 
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