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5M1270ZT144I5N

更新时间： 2024-02-09 21:58:27

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阿尔特拉 - ALTERA		时钟 LTE 可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
30页	452K
描述
Flash PLD, 10ns, 980-Cell, CMOS, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-144

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5M1270ZT144I5N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP144,.87SQ,20	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.2
其他特性：	YES	最大时钟频率：	201.1 MHz
系统内可编程：	YES	JESD-30 代码：	S-PQFP-G144
JESD-609代码：	e3	JTAG BST：	YES
长度：	20 mm	湿度敏感等级：	3
I/O 线路数量：	114	宏单元数：	980
端子数量：	144	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	114 I/O
输出函数：	MACROCELL	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP144,.87SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8,1.2/3.3 V
可编程逻辑类型：	FLASH PLD	传播延迟：	10 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
子类别：	Programmable Logic Devices	最大供电电压：	1.89 V
最小供电电压：	1.71 V	标称供电电压：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	20 mm	Base Number Matches：	1

5M1270ZT144I5N 数据手册

Chapter 3: DC and Switching Characteristics for MAX V Devices

3–7

Operating Conditions

Table 3–9. 1.5-V I/O Specifications for MAX V Devices

Symbol

V_CCIO

Parameter

I/O supply voltage

Conditions

Minimum

1.425

Maximum

1.575

Unit

—

V_IH

High-level input voltage

Low-level input voltage

High-level output voltage

Low-level output voltage

—

0.65 × V_CCIO

–0.3

V_CCIO+ 0.3 (2)

0.35 × V_CCIO

—

V_IL

—

V_OH

IOH = –2 mA (1)

IOL = 2 mA (1)

0.75 × V_CCIO

—

V_OL

0.25 × V_CCIO

Notes to Table 3–9:

(1) This specification is supported across all the programmable drive strength settings available for this I/O standard, as shown in the

MAX V Device Architecture chapter.

(2) This maximum V_IHreflects the JEDEC specification. The MAX V input buffer can tolerate a V_IHmaximum of 4.0, as specified by the V_Iparameter

in Table 3–2 on page 3–2.

Table 3–10. 1.2-V I/O Specifications for MAX V Devices

Symbol

V_CCIO

Parameter

I/O supply voltage

Conditions

Minimum

1.14

Maximum

1.26

Unit

—

V_IH

High-level input voltage

Low-level input voltage

High-level output voltage

Low-level output voltage

—

0.8 × V_CCIO

–0.3

V_CCIO+ 0.3

0.25 × V_CCIO

—

V_IL

—

V_OH

IOH = –2 mA (1)

IOL = 2 mA (1)

0.75 × V_CCIO

—

V_OL

0.25 × V_CCIO

Note to Table 3–10:

(1) This specification is supported across all the programmable drive strength settings available for this I/O standard, as shown in the

MAX V Device Architecture chapter.

Table 3–11. 3.3-V PCI Specifications for MAX V Devices (Note 1)

Symbol

V_CCIO

Parameter

I/O supply voltage

Conditions

Minimum

3.0

Typical

3.3

—

Maximum

3.6

Unit

—

V_IH

High-level input voltage

Low-level input voltage

High-level output voltage

Low-level output voltage

0.5 × V_CCIO

–0.5

V_CCIO+ 0.5

0.3 × V_CCIO

—

V_IL

—

V_OH

IOH = –500 µA

IOL = 1.5 mA

0.9 × V_CCIO

—

V_OL

—

0.1 × V_CCIO

Note to Table 3–11:

(1) 3.3-V PCI I/O standard is only supported in Bank 3 of the 5M1270Z and 5M2210Z devices.

Table 3–12. LVDS Specifications for MAX V Devices (Note 1)

Symbol

V_CCIO

Parameter

I/O supply voltage

Conditions

Minimum

2.375

247

Typical

2.5

Maximum

2.625

Unit

—

V_OD

V_OS

Differential output voltage swing

Output offset voltage

—

600

1.125

1.25

1.375

Note to Table 3–12:

(1) Supports emulated LVDS output using a three-resistor network (LVDS_E_3R).

May 2011 Altera Corporation

MAX V Device Handbook

1...4 5 678 9 10...30

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