5秒后页面跳转
5KP10CAB-2 PDF预览

5KP10CAB-2

更新时间: 2024-02-20 10:04:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 419K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,

5KP10CAB-2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
其他特性:UL LISTED最大击穿电压:12.3 V
最小击穿电压:11.1 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:2
最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

5KP10CAB-2 数据手册

 浏览型号5KP10CAB-2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5KP10CAB-2的Datasheet PDF文件第3页 

与5KP10CAB-2相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
5KP10CA-C SECOS 5000W Peak Power TVS

获取价格

5KP10CACOX.160 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

获取价格

5KP10CACOX.200 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

获取价格

5KP10CAE3 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

获取价格

5KP10CA-E3 VISHAY DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso

获取价格

5KP10CAE3/TR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

获取价格