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5962F9584501VYC

更新时间: 2024-01-05 13:30:50
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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32页 1182K
描述
x8 SRAM

5962F9584501VYC 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.13
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:R-XDFP-F36
长度:16.51 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度:2.67 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:0.635 mm
端子位置:DUAL总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:16 mmBase Number Matches:1

5962F9584501VYC 数据手册

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