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5962F9584502QYC

更新时间: 2024-02-02 15:08:38
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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32页 1182K
描述
x8 SRAM

5962F9584502QYC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DFP, FL36,.6,25Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F36JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:36
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL36,.6,25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Qualified筛选级别:38535V;38534K;883S
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.16 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
总剂量:300k Rad(Si) VBase Number Matches:1

5962F9584502QYC 数据手册

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