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5962F9584503QZC

更新时间: 2024-02-05 03:57:08
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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32页 1182K
描述
x8 SRAM

5962F9584503QZC 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.2
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:R-XDFP-F36
JESD-609代码:e4长度:16.51 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度:2.67 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子节距:0.635 mm
端子位置:DUAL总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:16 mmBase Number Matches:1

5962F9584503QZC 数据手册

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