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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.66 |
| 最长访问时间： | 50 ns | 其他特性： | RETRANSMIT |
| 周期时间： | 65 ns | 长度： | 37.1475 mm |
| 内存密度： | 147456 bit | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX9 | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9317701MYA | IDT | FIFO, 16KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| 5962-9317701MYX | IDT | 暂无描述 |
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| 5962-9317702MXX | IDT | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, CERAMIC, DIP-28 |
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| 5962-9317702MYX | IDT | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| 5962-9317702MZA | WEDC | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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| 5962-9317702QTC | MICROCHIP | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS |
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