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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.13 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-9316603MYX | ETC |
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x8 EPROM |
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| 5962-9316603MZX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 5962-9316604MUX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 5962-9316604MZX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 5962-9316605MUX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 5962-9316605MZX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 5962-9316606MUX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 5962-9316606MZX | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 5962-9316801MXX | ETC |
获取价格 |
Electrically-Erasable Complex PLD |
|
| 5962-9316802MXX | ETC |
获取价格 |
Electrically-Erasable Complex PLD |
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