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5962-9161202MZX

更新时间: 2024-02-10 18:08:25
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1018K
描述
x4 SRAM

5962-9161202MZX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDSO-J28内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:28字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-9161202MZX 数据手册

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