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5962-9161201MTX

更新时间: 2024-01-09 08:13:41
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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27页 1018K
描述
x4 SRAM

5962-9161201MTX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDSO-N28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:28
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:SON封装等效代码:SOLCC28,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.00075 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL

5962-9161201MTX 数据手册

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