生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.58 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9089911MYA | ETC | x8 Flash EEPROM |
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5962-9089911MYX | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-9089911QUA | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-9089911QXA | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-9089911QYA | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-9089912MXA | ETC | x8 Flash EEPROM |
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