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5962-9089906QUA

更新时间: 2024-02-10 18:40:10
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其他 - ETC 闪存内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
27页 208K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

5962-9089906QUA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.8
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL编程电压:12 V
认证状态:Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class Q
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:QUADBase Number Matches:1

5962-9089906QUA 数据手册

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