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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 250 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| 耐久性： | 1000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9089905MUX | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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| 5962-9089905MXA | ETC | x8 Flash EEPROM |
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| 5962-9089905MXX | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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| 5962-9089905MYA | ETC | x8 Flash EEPROM |
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| 5962-9089905MYX | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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| 5962-9089905MZA | ETC | x8 Flash EEPROM |
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