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5962-8969609ZA

更新时间: 2024-01-22 07:49:23
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 581K
描述
x1 SRAM

5962-8969609ZA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:QCCN, LCC22,.3X.5针数:22
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.63
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CQCC-N22
JESD-609代码:e0长度:12.24 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:OTHER SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC22,.3X.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:3.05 mm
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:7.43 mmBase Number Matches:1

5962-8969609ZA 数据手册

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