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5962-8959803MNA

更新时间: 2024-02-13 22:56:49
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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14页 391K
描述
x8 SRAM

5962-8959803MNA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL32,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDFP-F32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL32,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.125 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-8959803MNA 数据手册

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