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5962-8852509YX

更新时间： 2024-01-05 02:57:25

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器 ATM 异步传输模式内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	238K
描述
EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

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技术参数
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5962-8852509YX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	350 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
切换位：	YES	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

5962-8852509YX 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics.

│

Test

│Symbol

│

Conditions

-55°C ≤ T_C≤+125°C

V_SS= 0 V,

│Group A │Device│ Limits

│subgroups │types

│

Unit

│

4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

│

│ Min

│ Max

│unless otherwise specified 1/

│

Supply current

(active)

│I_CC1

│ CE = OE = V_IL, WE = V_IH

│ all I/O's = 0 mA,

│Inputs = V_CC= 5.5 V,

│f = 1/tAVAV (minimum)

│

│ 1,2,3

│ All

│

│ 80

│ mA

│

Supply current

(TTL standby)

│I_CC2

│ CE = V_IH, OE = V_IL

│ all I/O's = 0 mA

│Inputs = V_CC-0.3 V

│

│ 1,2,3

│ All

│

│ 3

│ mA

│

Supply current

│I_CC3

│ CE = V_CC-0.3 V

│ 1,2,3

│ All

│

│ 350 │ µA

(CMOS standby)

│

│ all I/O's = 0 mA,

│

│Inputs = V_ILto V_CC-0.3 V

│

Input leakage (high)

Input leakage (low)

│I_IH

│

│V_IN= 5.5 V

│ 1,2,3

│ All

│ -10

│ 10

│ µA

│

│ All

│

│ -10

│

│ 10

│

│I_IL

│

│V_IN= 0.1 V

│

│ 1,2,3

│

│ µA

│

Output leakage (high) │I_OHZ2/ │V_OUT= 5.5 V, CE = V_IH

│ 1,2,3

│

│ All

│

│ -10

│

│ 10

│

│ µA

│

Output leakage (low)

Input voltage low

Input voltage high

Output voltage low

│I_OLZ2/ │V_OUT= 0.1 V, CE = V_IH

│ 1,2,3

│

│ 1,2,3

│

│ 1,2,3

│

│ All

│

│ All

│

│ All

│

│ -10

│

│-0.1

│

│ 2.0

│

│ 10

│

│ µA

│

│V_IL

│

│ 0.8

│

│V_CC

│+ 0.3V │

│

│ V

│

│V_IH

│

│ V

│

│V_OL

│I_OL= 2.1 mA, V_IH= 2.0 V

│ 1,2,3

│ All

│

│ 0.45 │ V

│

│V_CC= 4.5 V, V_IL= 0.8 V

│

│V_OH

│

│ All

│

│ 2.4

│

│ V

│

Output voltage high

│I_OH= -400 µA, V_IH= 2.0 V

│V_CC= 4.5 V, V_IL= 0.8 V

│

│ 1,2,3

│

OE high leakage

(chip erase)

│I_OE

│

│V_H= 13 V

│

│ 1,2,3

│

│ All

│

│ -10

│

│ 100 │ µA

│

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

5962-88525

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

REVISION LEVEL

SHEET

DSCC FORM 2234

APR 97

1 2 3 456 7 8...28

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