生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.49 |
最长访问时间: | 150 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 最大待机电流: | 0.00035 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 切换位: | YES |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8852508ZA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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5962-8852508ZX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28 |
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5962-8852509UC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PGA-28 |
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5962-8852509UX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PGA-28 |
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5962-8852509XA | WEDC | IC 32K X 8 EEPROM 5V, 350 ns, CDIP28, Programmable ROM |
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5962-8852509XX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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