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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | OUTPUT ENABLE ACTIVE HIGH FOR ONE FUNCTION | 控制类型： | ENABLE LOW/HIGH |
| 计数方向： | UNIDIRECTIONAL | 系列： | F/FAST |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T20 | 长度： | 24.2 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER |
| 最大I（ol）： | 0.064 A | 位数： | 4 |
| 功能数量： | 2 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 90 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 7 ns | 传播延迟（tpd）： | 7 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Bus Driver/Transceivers | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.92 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8687401SA | ETC | Dual 4-Bit Non-Inverting Buffer/Driver |
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| 5962-86875 | RENESAS | 1K x 8 Dual-Port RAM |
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| 5962-8687501UA | WEDC | Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS |
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| 5962-8687501UC | TEMIC | Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, FP-48 |
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| 5962-8687501UX | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8687501XA | TEMIC | Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CDIP48, |
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