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5962-8687503XA

更新时间： 2024-12-01 19:38:11

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	819K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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5962-8687503XA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...31

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-8687503XC	TEMIC	获取价格	IC 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48, Static
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5962-8687503ZA	CYPRESS	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52
5962-8687503ZX	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
5962-8687504UA	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, FP-48
5962-8687504UC	TEMIC	获取价格	IC 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CQFP64, CERAMIC, QFP-64, Static RAM
5962-8687504UX	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM