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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DFP, FL28,.4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.4 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDFP-F28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.288 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DFP | 封装等效代码： | FL28,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 2.921 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.105 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 12.446 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-3829407MTX | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-3829407MUX | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-3829407MXA | IDT | CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) |
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| 5962-3829407MXX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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| 5962-3829407MYA | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-3829407MYX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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