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54F219DLQB

更新时间: 2024-02-29 21:47:59
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美国国家半导体 - NSC 存储
页数 文件大小 规格书
8页 166K
描述
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 32 ns, CDIP16, Static RAM

54F219DLQB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:23 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T16
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16X4封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

54F219DLQB 数据手册

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AC Electrical Characteristics  
74F  
54F  
74F  
e a  
e a  
100 C  
T
25 C  
T
§
5.0V  
§
A
A
e
50 pF  
T
, V  
CC  
Com  
A
e a  
e
Mil  
Symbol  
Parameter  
V
V
CC  
Units  
CC  
e
C
L
e
e
50 pF  
C
50 pF  
C
L
L
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
t
t
Access Time, HIGH or LOW  
10.0  
8.0  
18.5  
13.5  
26.0  
19.0  
9.0  
8.0  
32.0  
23.0  
10.0  
8.0  
27.0  
20.0  
PLH  
ns  
ns  
A
to O  
n
PHL  
n
t
t
Access Time, HIGH or LOW  
CS to O  
3.5  
5.0  
6.0  
9.0  
8.5  
3.5  
5.0  
10.5  
15.0  
3.5  
5.0  
9.5  
PZH  
13.0  
14.0  
PZL  
n
t
t
Disable Time, HIGH or LOW  
CS to O  
2.0  
3.0  
4.0  
5.5  
6.0  
8.0  
2.0  
2.5  
8.0  
2.0  
3.0  
7.0  
9.0  
PHZ  
10.0  
PLZ  
n
t
t
Write Recovery Time  
6.5  
6.5  
20.0  
11.0  
28.0  
15.5  
6.5  
6.5  
37.5  
17.5  
6.5  
6.5  
29.0  
16.5  
PZH  
HIGH or LOW, WE to O  
PZL  
n
ns  
t
t
Disable Time, HIGH or LOW  
WE to O  
4.0  
5.0  
7.0  
9.0  
10.0  
13.0  
3.5  
5.0  
12.0  
15.0  
4.0  
5.0  
11.0  
14.0  
PHZ  
PLZ  
n
AC Operating Requirements  
74F  
54F  
74F  
e a  
e a  
100 C  
T
25 C  
T
§
5.0V  
§
A
A
e
Symbol  
Parameter  
T
, V  
CC  
Com  
Max  
Units  
A
e a  
e
Mil  
V
V
CC  
CC  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
t (H)  
s
Setup Time, HIGH or LOW  
0
0
0
0
0
0
t (L)  
s
A to WE  
n
ns  
t (H)  
h
Hold Time, HIGH or LOW  
A to WE  
n
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
t (L)  
h
t (H)  
s
Setup Time, HIGH or LOW  
D to WE  
n
10.0  
10.0  
11.0  
11.0  
10.0  
10.0  
t (L)  
s
ns  
t (H)  
h
Hold Time, HIGH or LOW  
D to WE  
n
0
0
2.0  
2.0  
0
0
t (L)  
h
t (L)  
s
Setup Time, LOW  
CS to WE  
0
0
0
ns  
ns  
t (L)  
h
Hold Time, LOW  
CS to WE  
6.0  
6.0  
7.5  
6.0  
6.0  
t (L)  
w
WE Pulse Width, LOW  
15.0  
4

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