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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.86 | 最长访问时间： | 23 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 内存密度： | 64 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 16 words | 字数代码： | 16 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16X4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 54F219DMQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 16X4, 23ns, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
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| 54F219FL | NSC | 64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs |
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| 54F219FL | FAIRCHILD | Standard SRAM, 16X4, 32ns, TTL, CDFP16, CERPACK-16 |
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| 54F219FLQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 16X4, 32ns, TTL, CDFP16, CERPACK-16 |
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| 54F219FLQB | NSC | IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 32 ns, CDFP16, Static RAM |
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| 54F219FMQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 16X4, 32ns, TTL, CDFP16, |
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