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54F219DL

更新时间： 2024-01-10 23:47:27

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美国国家半导体 - NSC		存储
页数	文件大小	规格书
8页	166K
描述
64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs

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技术参数
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54F219DL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.79
最长访问时间：	23 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T16
内存密度：	64 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端子数量：	16	字数：	16 words
字数代码：	16	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16X4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

54F219DL 数据手册

Unit Loading/Fan Out

54F/74F

Pin Names

Description

U.L.

Input I /I

IH IL

Output I /I

HIGH/LOW

OH OL

20 mA/ 0.6 mA

20 mA/ 1.2 mA

20 mA/ 0.6 mA

A –A

Address Inputs

1.0/1.0

1.0/2.0

Chip Select Input (Active LOW)

Write Enable Input (Active LOW)

Data Inputs

1.0/1.0

D –D

1.0/1.0

20 mA/ 0.6 mA

O –O

TRI-STATE Data Outputs

150/40 (33.3)

3 mA/24 mA (20 mA)

Function Table

Inputs

Operation

Condition of Outputs

Write

Read

Inhibit

High Impedance

True Stored Data

High Impedance

HIGH Voltage Level

LOW Voltage Level

Immaterial

Block Diagram

TL/F/9500–4

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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54F219FL	NSC	64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs	获取价格
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