4N35

更新时间： 2024-01-02 12:46:13

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德州仪器 - TI		光电输出元件
页数	文件大小	规格书
8页	115K
描述
COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS

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4N35 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SURFACE MOUNT, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.40.80.00
风险等级：	2.13	其他特性：	UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V	配置：	SINGLE
当前传输比率-最小值：	100%	标称电流传输比：	100%
最大暗电源：	50 nA	最大正向电流：	0.06 A
最大正向电压：	1.5 V	最大绝缘电压：	5300 V
安装特点：	SURFACE MOUNT	元件数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	最大功率耗散：	0.16 W
最长响应时间：	0.00001 s	子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

4N35 数据手册

4N35, 4N36, 4N37

OPTOCOUPLERS

SOES021C – NOVEMBER 1981 – REVISED APRIL 1998

APPLICATION INFORMATION

The devices consist of a gallium-arsenide infrared-emitting diode and an npn silicon phototransistor. Each

device is available in a 6-terminal plastic dual-in-line package, shown in Figure 9, or in a DCJ plastic dual

surface-mount optocoupler package (see Mechanical Data).

0.370 (9,40)

0.330 (8,38)

Index Dot

(see Note B)

(see Note C)

0.300 (7,62) T.P.

(see Note A)

0.215 (5,46)

0.115 (2,92)

0.070 (1,78)

0.020 (0,51)

0.260 (6,61)

0.240 (6,09)

0.070 (1,78) MAX

6 Places

Seating Plane

105°

90°

0.040 (1,01) MIN

0.090 (2,29)

0.050 (1,27)

4 Places

0.021 (0,534)

0.015 (0,381)

6 Places

0.012 (0,305)

0.008 (0,203)

0.150 (3,81)

0.125 (3,17)

0.100 (2,54) T.P.

(see Note A)

NOTES: A. Terminals are within 0.005 (0,13) radius of true position (T.P.) with maximum material condition and unit installed.

B. Terminal 1 identified by index dot.

C. The dimensions given fall within JEDEC MO-001 AM dimensions.

D. All linear dimensions are in inches (millimeters).

Figure 9. Plastic Dual-in-Line Package

POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265

1...3 4 567 8

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