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4N33VM

更新时间： 2024-01-29 18:13:53
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 输出元件光电
页数 文件大小 规格书
10页 270K
描述
Darlington Output Optocoupler, 1-Element, 7500V Isolation, DIP-6

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4N33VM 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DIP-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.7
其他特性：UL APPROVED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V
配置：SINGLE当前传输比率-最小值：500%
最大暗电源：100 nA最大正向电流：0.08 A
最大正向电压：1.5 V最大绝缘电压：4170 V
JESD-609代码：e3安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
元件数量：1最大通态电流：0.15 A
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER包装方法：TUBE
最大功率耗散：0.15 W最长响应时间：0.000005 s
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

4N33VM 数据手册

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Electrical Characteristics (T = 25°C Unless otherwise specified.) (Continued)  
A
Isolation Characteristics  
Symbol  
Characteristic  
Test Conditions  
f = 60Hz, t = 1 sec.  
VDC  
Device Min. Typ. Max.  
Units  
(5)  
V
Input-Output Isolation Voltage  
All  
4N32M*  
4N33M*  
All  
7500  
2500  
1500  
V
PEAK  
ISO  
AC  
V
VDC  
(5)  
11  
R
C
Isolation Resistance  
V
V
= 500VDC  
10  
Ω
ISO  
ISO  
I-O  
I-O  
(5)  
Isolation Capacitance  
= Ø, f = 1MHz  
All  
0.8  
pF  
* Indicates JEDEC registered data.  
Notes:  
1. The current transfer ratio(I /I ) is the ratio of the detector collector current to the LED input current.  
C F  
2. Pulse test: pulse width = 300µs, duty cycle ≤ 2.0% .  
3. I adjusted to I = 2.0mA and I = 0.7mA rms.  
F
C
C
4. The frequency at which I is 3dB down from the 1kHz value.  
C
5. For this test, LED pins 1 and 2 are common, and phototransistor pins 4, 5 and 6 are common.  
Safety and Insulation Ratings  
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data.  
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Installation Classifications per DIN VDE 0110/1.89  
Table 1  
For Rated Main Voltage < 150Vrms  
For Rated Main voltage < 300Vrms  
Climatic Classification  
I-IV  
I-IV  
55/100/21  
2
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)  
Comparative Tracking Index  
CTI  
175  
V
Input to Output Test Voltage, Method b,  
1594  
V
V
PR  
peak  
V
x 1.875 = V , 100% Production Test  
IORM  
PR  
with tm = 1 sec, Partial Discharge < 5pC  
Input to Output Test Voltage, Method a,  
1275  
peak  
V
x 1.5 = V , Type and Sample Test  
PR  
IORM  
with tm = 60 sec, Partial Discharge < 5pC  
Max. Working Insulation Voltage  
Highest Allowable Over Voltage  
External Creepage  
V
850  
6000  
7
V
V
IORM  
peak  
V
IOTM  
peak  
mm  
mm  
mm  
Ω
External Clearance  
7
Insulation Thickness  
0.5  
9
RIO  
Insulation Resistance at Ts, V = 500V  
10  
IO  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3  
www.fairchildsemi.com  
4
1234567...10

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