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4N32TVM

更新时间: 2024-01-05 14:33:21
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件光电
页数 文件大小 规格书
12页 337K
描述
6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N32TVM 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
包装说明:DIP-6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.40.80.00
Factory Lead Time:2 weeks风险等级:1.7
Is Samacsys:N其他特性:UL APPROVED, VDE APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V配置:SINGLE
当前传输比率-最小值:50%标称电流传输比:500%
最大暗电源:100 nA最大正向电流:0.08 A
最大正向电压:1.5 V最大绝缘电压:7500 V
JESD-609代码:e3安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
元件数量:1最大通态电流:0.15 A
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER最大功率耗散:0.25 W
最长响应时间:0.000005 s子类别:Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
Base Number Matches:1

4N32TVM 数据手册

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4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M  
REFLOW PROFILE  
260  
T
P
Max. Rampup Rate = 3°C/s  
Max. Rampdown Rate = 6°C/s  
240  
220  
200  
t
P
T
L
Tsmax  
t
L
180  
160  
140  
120  
Preheat Area  
Tsmin  
ts  
100  
80  
60  
40  
20  
0
120  
240  
360  
Time 25°C to Peak  
Time (s)  
Figure 12. Reflow Profile  
REFLOW PROFILE  
Profile Feature  
PbFree Assembly Profile  
150°C  
Temperature Min. (Tsmin)  
Temperature Max. (Tsmax)  
200°C  
Time (t ) from (Tsmin to Tsmax)  
60120 s  
S
Rampup Rate (t to t )  
3°C/s max.  
217°C  
L
P
Liquidous Temperature (T )  
L
Time (t ) Maintained Above (T )  
60150 s  
L
L
Peak Body Package Temperature  
Time (t ) within 5°C of 260°C  
260°C +0°C / 5°C  
30 s  
P
Rampdown Rate (T to T )  
6°C/s max.  
8 min max.  
P
L
Time 25°C to Peak Temperature  
www.onsemi.com  
7

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