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4N32TVM

更新时间： 2024-02-17 23:31:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件光电
页数 文件大小 规格书
12页 337K
描述
6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

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4N32TVM 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：DIP-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.7
Is Samacsys：N其他特性：UL APPROVED, VDE APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
当前传输比率-最小值：50%标称电流传输比：500%
最大暗电源：100 nA最大正向电流：0.08 A
最大正向电压：1.5 V最大绝缘电压：7500 V
JESD-609代码：e3安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
元件数量：1最大通态电流：0.15 A
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER最大功率耗散：0.25 W
最长响应时间：0.000005 s子类别：Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

4N32TVM 数据手册

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4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS − TRANSFER CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Device  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
DC CHARACTERISTICS  
I
Collector Output Current  
(Note 3) (Note 4) (Note 5)  
I = 10 mA, V = 10 V,  
4N32M,  
4N33M  
50 (500)  
10 (100)  
−
−
−
−
mA (%)  
mA (%)  
C(CTR)  
F
B
CE  
I
= 0  
4N29M,  
4N30M  
I = 1 mA, V = 5 V  
H11B1M  
TIL113M  
4NXXM  
TIL113M  
H11B1M  
5 (500)  
−
−
−
−
−
−
−
mA (%)  
F
CE  
I = 10 mA, V = 1 V  
30 (300)  
mA (%)  
F
CE  
V
Saturation Voltage (Note 3) (Note 5)  
I = 8 mA, I = 2.0 mA  
−
−
−
1.0  
1.25  
1.0  
V
V
V
CE (SAT)  
F
C
I = 1 mA, I = 1 mA  
F
C
AC CHARACTERISTIC  
Turn−on Time  
t
I = 200 mA, I = 50 mA,  
4NXXM,  
TIL113M  
−
−
−
−
25  
−
5.0  
−
ms  
ms  
ms  
ON  
F
V
C
= 10 V, R = 100 W  
CC  
L
I = 10 mA, V = 10 V,  
H11B1M  
F
L
CE  
R = 100 W  
t
Turn−off Time  
I = 200 mA, I = 50mA,  
4N32M,  
4N33M,  
TIL113M  
100  
OFF  
F
CC  
C
L
V
= 10 V, R = 100 W  
4N29M,  
4N30M  
−
−
−
−
40  
−
ms  
ms  
I = 10 mA, V = 10 V,  
H11B1M  
18  
F
L
CE  
R = 100 W  
BW  
Bandwidth (Note 6) (Note 7)  
30  
−
kHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
3. Indicates JEDEC registered data.  
4. The current transfer ratio(I /I ) is the ratio of the detector collector current to the LED input current.  
C
F
5. Pulse test: pulse width = 300 ms, duty cycle v2.0%.  
6. I adjusted to I = 2.0 mA and I = 0.7 mA rms.  
F
C
C
7. The frequency at which I is 3 dB down from the 1 kHz value.  
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS − ISOLATION CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
VISO  
Parameter  
Input−Output Isolation Voltage  
Isolation Capacitance  
Test Conditions  
t = 1 Minute  
Min  
4170  
−
Typ  
−
Max  
−
Unit  
VAC  
RMS  
CISO  
V
I−O  
V
I−O  
= 0 V, f = 1 MHz  
0.2  
−
−
pF  
11  
RISO  
Isolation Resistance  
=
500 VDC, T = 25°C  
10  
−
W
A
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
www.onsemi.com  
4
 
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