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4N27M

更新时间： 2024-01-13 22:00:26

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安森美 - ONSEMI		输出元件晶体管光电晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	330K
描述
6 引脚 DIP 封装光电晶体管输出光耦合器

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4N27M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DIP-6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
其他特性：	UL RECOGNIZED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	标称电流传输比：	10%
最大暗电源：	50 nA	最大正向电流：	0.06 A
最大绝缘电压：	7500 V	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
端子面层：	MATTE TIN	Base Number Matches：	1

4N27M 数据手册

4N25M, 4N26M, 4N27M, 4N28M, 4N35M, 4N36M, 4N37M

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

1.6

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

= 5.0 V

= 25°C

Normalized to

= 10 mA

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

= −55_C

= 25_C

= 100_C

100

I – LED Forward Current (mA)

Figure 1. LED Forward Voltage vs. Forward Current

Figure 2. Normalized CTR vs. Forward Current

1.4

1.2

1.0

0.9

= 20 mA

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

= 5 mA

= 10 mA

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

= 5 mA

= 10 mA

= 20 mA

= 5.0 V

Normalized to

= 10 mA

= 25_C

100

−60

−40

−20

100

1000

− Ambient Temperature (5C)

− Base Resistance (kW)

Figure 3. Normalized CTR vs. Ambient Temperature

Figure 4. CTR vs. RBE (Unsaturated)

100

1.0

0.9

= 25°C

= 20 mA

= 0.3 V

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

= 5 mA

= 2.5 mA

= 10 mA

0.1

= 20 mA

0.01

0.001

= 5 mA

= 10 mA

0.01

0.1

100

1000

− Base Resistance (kW)

I − Collector Current (mA)

Figure 5. CTR vs. RBE (Saturated)

Figure 6. Collector−Emitter Saturation Voltage vs.

Collector Current

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
4N27-M	FAIRCHILD	GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS	获取价格
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4N27M(TB)-V	EVERLIGHT	暂无描述	获取价格
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