4N26

更新时间： 2024-02-28 08:30:10

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亿光 - EVERLIGHT		晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
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13页	365K
描述
6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER

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4N26 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.80.00	风险等级：	5.22
其他特性：	UL RECOGNIZED, VDE APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	当前传输比率-最小值：	20%
标称电流传输比：	20%	最大暗电源：	50 nA
最大正向电流：	0.06 A	最大正向电压：	1.5 V
最大绝缘电压：	5300 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	元件数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	最大功率耗散：	0.16 W
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	Base Number Matches：	1

4N26 数据手册

4N2X Series

4N3X Series

H11AX Series

6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR

PHOTOCOUPLER

Electrical Characteristics (T_a=25°C unless specified otherwise)

Input

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.*

Max.

Unit

Condition

1.2

1.5

V_F

I_R

I_F= 10mA

Reverse current

µA

V_R= 6V

Input capacitance

V = 0, f = 1MHz

C_in

Output

Parameter

Symbol

I_CBO

Min.

Typ.*

Max.

Unit

Condition

V_CB= 10V

Collector-Base dark current

V_CE= 10V, IF=0mA

Collector-Emitter dark

current

I_CEO

V_CE= 60V, IF=0mA

I_c=1mA

Collector-Emitter

breakdown voltage

BV_CEO

BV_CBO

BV_ECO

BV_EBO

C_CE

Collector-Base

breakdown voltage

I_C=0.1mA

Emitter-Collector

breakdown voltage

I_E=0.1mA

Emitter-Base

breakdown voltage

I_E=0.1mA

Collector-Emitter

capacitance

VCE=0V, f=1MHz

* Typical values at T_a= 25°C

Everlight Electronics Co., Ltd.

Document No：DPC-717-044 Rev. 0

http:\\www.everlight.com

September 12, 2007

1 234 5 6 7...13

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