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3TA80GK06NB-B

更新时间： 2022-02-26 11:38:45

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Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)

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3TA80GK06NB-B 数据手册

3TA80GKXXNB-B

Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)

Average On-State Current Vs Maximum Allowable�

Transient Thermal Impedance

Case Temperature（Single phase half wave）

０．５�

１６０�

１５０�

１４０�

１３０�

１２０�

Per one erement

０．４�

０．３�

360^。�

Junction to case

Per one element

: Conduction Angle

０．２�

１１０�

１００�

０．１�

０�

θ＝60゜�

θ＝120゜�

D.C.

θ＝30゜� θ＝90゜�θ＝180゜�

０�

ー

１�

１０^３�２� ５�１０^２�２� ５�１０^１�２� ５�１０^０�２� ５�１０

０�

５０�

１００�

１５０�

Time t（sec）�

Average On-State Curren（t A）�

Surge On-State Current Rating�

On-State Voltage max

（Non-Repetitive）�

３０００�

２�

Per one element

Tj＝25℃�

３�

１０

２５００�

２０００�

５�

２�

60Hz

２�

１０

１５００�

５�

１０００�

０�

２�

１�

１０

�

０�

0．５�

１�

１．５�

２�

２．５�

３�

�

１�

５０� １００

２�

５�

１０

２０�

On-State Voltage（V）�

Time（cycles）�

Average On-State Current Vs Power Dissipation�

（Single phase half wave）

Gate Characteristics

２�

１５０�

D.C.

Peak Forward Gate Voltage（10V）�

Per one erement

１�

１０

５�

θ＝180゜�

θ＝120゜�

θ＝90゜�

θ＝60゜�

１００�

２�

０�

１０

25℃�

θ＝30゜�

150℃�

–30℃�

５０�

５�

２�

360^。�

: Conduction Angle

Maximum Gate Voltage that will not terigger any unit

０�

�

１�

２�

３�

１０

２�

５� １０

２�

５� １０

２�

５�

０

５０�

１００�

１５０�

Gate Curren（t mA）�

Average On-State Curren（t A）�

www.sirectifier.com

Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3TA80GKXXNB	SIRECTIFIER	Three Phase Half Bridge	获取价格
3TA80GKXXNB-B	SIRECTIFIER	Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)	获取价格
3TB25	HUTSON	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 200V V(DRM), 25A I(T)RMS	获取价格
3TB40	HUTSON	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 200V V(DRM), 40A I(T)RMS	获取价格
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