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3TA250GK04NB

更新时间： 2022-12-14 14:42:44

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Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)

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3TA250GK04NB 数据手册

3TA250GKxxNB

Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)

Case Temperature（Single phase half wave）

Transient Thermal Impedance

１５

１４

１３

１２

０．１

Per one element

Junction to Case

360

θ：Conduction Angle

０．１

０．０

１１

１０

９

Per one element

０．０

θ＝30゜

θ＝90゜

θ＝180゜

D.C.

θ＝60゜

θ＝120゜

ー

１０

ー

１０

ー

１０

０

Average On-State Current（A）

０

１０

Time t（sec）

On-State Voltage max

（Non-Repetitive）

8000

7000

6000

5000

Per one element

１０

６０Hz

4000

3000

１０

１．

On-State Voltag（e V）

１０

Time（cycles）

１０

（Single phase half wave）

Gate Characteristics

４０

３０

２０

D.C.

１０

θ＝180゜

θ＝120゜

θ＝90゜

θ＝60゜

θ＝30゜

360

１０

: Conduction Angle

Per one element

Maximum Gate Voltage that will not terigger any unit

０

１００

Average On-State Current（A）

３０

１０

Gate Curren（tmA）

１０

1 23

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