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3TA200GKXXNB

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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3TA200GKXXNB 数据手册

3TA200GKxxNB

Three Phase Half Bridge

Symbol

Test Conditions

Unit

min.

typ.

max.

IDRM

IRRM

at VDRM, single phase, half wave, Tj=150^oC

On-State Current 630A, Tj=25^oC Inst. measurement

Tj=25^oC, IT=1A, VD=6V

VTM

1.20

150

IGT

VGT

0.25

200

VGD

Tj=150^oC, VD=1/2VDRM

IT=200A, IG=200mA, Tj=25^oC, VD=1/2VDRM, dIG/dt=1A/us

Tj=150^oC, VD=2/3VDRM, Exponential wave

Tj=25^oC

tgt

V/us

dv/dt

^oC/W

Junction to case (1/3 Module)

RthJC

0.12

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3TA200GKXXNB_16	SIRECTIFIER	Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)	获取价格
3TA250GK03NB	SIRECTIFIER	Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)	获取价格
3TA250GK04NB	SIRECTIFIER	Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)	获取价格
3TA250GK06NB	SIRECTIFIER	Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)	获取价格
3TA250GKXXNB	SIRECTIFIER	Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)	获取价格
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