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3EZ82D5

更新时间: 2024-09-24 22:31:15
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美高森美 - MICROSEMI 二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
SILICON 3 WATT ZENER DIODES

3EZ82D5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-41包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:95 Ω
JEDEC-95代码:DO-204ALJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:3000 Ω
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.25 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:82 V最大反向电流:0.5 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:9.1 mA

3EZ82D5 数据手册

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