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3EZ190D5

更新时间: 2024-02-26 05:38:53
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 73K
描述
SILICON 3 WATT ZENER DIODES

3EZ190D5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-41包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:800 ΩJEDEC-95代码:DO-204AL
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:8000 Ω湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:190 V
最大反向电流:0.5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:4 mA
Base Number Matches:1

3EZ190D5 数据手册

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