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3CT06B-O-N-N-A

更新时间： 2022-02-26 11:27:10

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华微电子 - JSMC		/
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6页	351K
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Half AC switching

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3CT06B-O-N-N-A 数据手册

3CT06B

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)

项

目

符

号

数

值

单位

Parameter

Symbol

V_DRM

Value

600

Unit

断态重复峰值电压Repetitive peak off-state voltage

反向重复峰值电压Repetitive peak reverse voltage

通态平均电流Average on-state current

V_RRM

600

0.63

1.0

I_T_（

AV^）

通态方均根电流 On-state RMS current ( half sine wave)

I_T(RMS)

I_TSM

非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current

( half sine wave ,t=10ms)

峰值门极电流 Peak gate current

I_GM

V_GM

V_RGM

P_GM

P_G(AV)

T_stg

门极峰值电压 Peak gate voltage

反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage

门极峰值功率 Peak gate power

℃

平均门极功率 Average gate power( over any 20ms period)

存储温度 Storage temperature

0.1

-40~150

125

操作结温Operation junction temperature

T_VJ

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (T_C=25℃ unless otherwise stated)

项

目

符号

测试条件

最小典型最大单位

Parameter

min

typ

max

Symbol

Tests conditions

Unit

断态峰值重复电流 Peak Repetitive

V_DM=V_DRM, Tj=125℃,

0.1

I_DRM

Blocking Current

R_GK=1KΩ

反向峰值重复电流 Peak Repetitive

V_RM=V_RRM, Tj=125℃,

0.1

I_RRM

Reverse Current

R_GK=1KΩ

峰值通态电压 Peak on-state voltage

门极触发电流 Gate trigger current

门极触发电压 Gate trigger voltage

维持电流 Holding current

V_TM

I_GT

V_GT

I_H

I_TM=2A

－

1.8

μA

V_DM=12V,I_T=0.1A

V_DM=12V, I_GT=1mA

140

0.65 0.8

动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (T_C=25℃ unless otherwise stated)

项

目

符号

测试条件

最小典型最大单位

Parameter

min

typ

max

Symbol

Tests conditions

Unit

断态临界电压上升率

V_DM=67% V_DRM(MAX)

dV/dt

V/μs

Critical rate of rise of off- state voltage

Tj=125℃,RGK=1KΩ

版本：201510F

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