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3CD834

更新时间： 2024-09-23 06:25:15

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3CD834 数据手册

深圳市大雁科技实业有限公司

Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen

3CD834

1. 主要特点

硅外延平面工

2. 封装形式 TO-220

3. 主要用途

低功率放大

源整

伴音、

出

4. 和 D880 构成互

管

最大定

目

T_a=25℃

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

数

-120

-70

-7

-3

1.5

150

-55~150

位

集极— 基极直流

集极— 射极直流

射极— 基极直流

集极直流流

集极耗散功率 T_a=25℃

T_c=25℃

P_C

℃

最高温

T_j

Tstg

存温度范

特性 T_a=25℃

目

符号

条件

范

Min Max

-120

-70

-7

位

集极— 基极直流

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CEsat

V_BE(ON)

h_FE1

h_FE2

h_FE3

I_C=-10µA

I_C=-10mA I_B=0

I_E=-1mA I_C=0

V_CB=-140V I_E=0

V_CE=-80V I_B=0

I_E=0

集极—

射极直流

射极— 基极直流

集极— 基极截止流

-100 µA

-1

集极—

射极截止流

射极— 基极截止流

V_EB=-7V

I_C=-3A

I_C=-5A

I_C=0

I_B=-0.3 A

I_B=-0.5 A

集极—

基极—

射极和降

射极正向通降

V_CE=-5V I_C=-0.5A

V_CE=-5V I_C=-3A

V_CE=-5V I_C=-50mA

V_CE=-5V I_C=-0.5A

300

直流流增益

f_T

MHz

7. h_FE1分档要求 60－120；100－200；150－300

- 1 -

地址：广东省深圳市南山区西丽留仙洞桑泰工业园 1 栋

电话：0755-86020755 传真：0755-86020855

网址：http://www.dayan.com.cn

邮编：518055

2005-1-27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3CD834A	ETC	获取价格	3CD834A 硅PNP型低频放大管壳额定双极型晶体管 =2SB834
3CD83R5E	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 83.5ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -30,30ppm/Cel,
3CD845RE	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 845ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -30,30ppm/Cel,
3CD856RE	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 856ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -30,30ppm/Cel,
3CD8K16E	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 8160ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -30,30ppm/Cel,
3CD8R45E	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 8.45ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel,
3CD8R76E	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 8.76ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel,
3CD910	FOSHAN	获取价格	TO-126F
3CDR252E	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 0.252ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -200,200ppm/Cel,
3CDR336E	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 0.336ohm, 450V, 0.5% +/-Tol, -200,200ppm/Cel,