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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 10 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.9 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 3.3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 37LV65-TISN | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV65-TL | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV65-TP | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37LV65-TSN | MICROCHIP | 36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family |
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| 37M602 | SMSC | ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER WITH INFRARED SUPPORT |
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| 37NAB066V1 | SEMIKRON | 3-phase bridge rectifier |
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