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33LV408RPFE-30

更新时间: 2024-02-09 13:22:17
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麦斯威 - MAXWELL 静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

33LV408RPFE-30 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DFP
包装说明:DFP-32针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.77
最长访问时间:30 nsJESD-30 代码:R-XDFP-F32
长度:23.622 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.937 mm最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.97 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:16.383 mmBase Number Matches:1

33LV408RPFE-30 数据手册

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33LV408  
4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM  
TABLE 1. PINOUT DESCRIPTION  
PIN  
SYMBOL  
DESCRIPTION  
12-5, 27, 26, 23, 25, 4,  
28, 3, 31, 2, 30, 1  
A0-A18  
Address Inputs  
29  
WE  
CS  
Write Enable  
Chip Select  
22  
24  
OE  
Output Enable  
13-15, 17-21  
I/O 1-I/O 8 Data Inputs/Outputs  
32  
16  
V
Power  
CC  
V
Ground  
SS  
TABLE 2. 33LV408 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN  
MAX  
UNIT  
Voltage on VCC supply relative to V  
V
-0.5  
-0.5  
--  
7.0  
V
V
SS  
CC  
Voltage on any pin relative to V  
V , V  
V +0.5  
SS  
IN OUT  
CC  
Power Dissipation  
PD  
TS  
1.0  
W
°C  
°C  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
-65  
-55  
+150  
+125  
T
A
TABLE 3. DELTA LIMITS  
PARAMETER  
VARIATION  
ICC  
ISB  
±10% of stated vaule in Table 6  
±10% of stated vaule in Table 6  
±10% of stated vaule in Table 6  
ISB1  
04.02.04 REV 2  
All data sheets are subject to change without notice  
2
©2004 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  

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