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31DQ09

更新时间: 2024-02-29 16:21:37
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NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 55K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

31DQ09 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-201
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.51
其他特性:FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-201JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:210 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:3.3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:90 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

31DQ09 数据手册

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SURGE CURRENT RATINGS  
f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load  
31DQ09  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
I
FSM  
0.02s  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
TIME (s)  
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE  
T j= 25° C ,V m = 20m V RM S ,f= 100k H z ,T yp ical Valu e  
31DQ09  
500  
200  
100  
50  
20  
0.5  
1
2
5
10  
20  
50  
100  
REVERSE VOLTAGE (V)  

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