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30NWK2CZ47

更新时间： 2024-02-06 19:44:44
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, 12-10C1A, 3 PIN, Rectifier Diode

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30NWK2CZ47 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SOD包装说明：12-10C1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

30NWK2CZ47 数据手册

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30NWK2CZ47  
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Stack Trench Schottky Barrier Type  
30NWK2CZ47  
Switching Mode Power Supply Application  
Converter & Chopper Application  
Unit: mm  
·
·
·
·
Repetitive peak reverse voltage: V  
= 100 V  
= 0.83 V (max)  
RRM  
Peak Forward Voltage: V  
FM  
Average output recified current: I = 30 A  
O
Low switching losses and output noise.  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
Average output recified current  
V
100  
30  
V
A
RRM  
I
O
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive, sine wave)  
I
250 (50 Hz)  
A
FSM  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Screw Torque  
T
-40~150  
-40~150  
0.6  
°C  
°C  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
¾
N･m  
TOSHIBA  
12-10C1A  
Weight: 2.0 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Peak forward voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 15 A  
FM  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
0.83  
50  
V
mA  
FM  
Repetitive peak reverse current  
Junction capacitance  
I
V
V
= 100 V  
RRM  
RRM  
C
j
= 10 V, f = 1.0 MHz  
R
250  
¾
¾
pF  
Thermal resistance  
R
DC Total, Junction to case  
2.5  
°C/W  
th (j-c)  
Note: V , I  
, C : A value of one cell.  
j
FM RRM  
1
2001-11-14  
12345

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