5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | DO-5, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FREEWHEELING DIODE | 应用： | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 500 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 30 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 500 V | 最大反向恢复时间： | 0.08 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30HFU-500E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 30HFU-500M | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, |
|
| 30HFU-500MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, |
|
| 30HFU-500R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 30HFU-500RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 30HFU-600 | TRSYS |
获取价格 |
Super Fast Recovery Rectifier |
|
| 30HFU-600 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 30HFU-600E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 30HFU-600MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, |
|
| 30HFU-600RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
