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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 30BQ015PBF
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30BQ015PBF

更新时间： 2024-01-26 06:23:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 120K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER 3 Amp

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30BQ015PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214AB
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, SMC, SIMILAR TO DO-214AB, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.3 VJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：650 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：15 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

30BQ015PBF 数据手册

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30BQ015PbF  
Bulletin PD-20406 rev. A 05/05  
Voltage Ratings  
Part number  
30BQ015PbF  
VR  
Max. DC Reverse Voltage (V)  
15  
25  
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
30BQ Units Conditions  
IF(AV) Max. Average Forward Current  
3.0  
A
50%duty cycle@TL =83°C,rectangular waveform  
4.0  
50%duty cycle@TL =78°C,rectangular waveform  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive  
Surge Current  
650  
A
5µs Sineor3µsRect.pulse  
Following any rated  
load condition and  
75  
1.5  
0.5  
10msSineor6msRect. pulse with rated VRRMapplied  
EAS Non Repetitive Avalanche Energy  
mJ TJ =25°C,IAS =0.5A,L=12mH  
IAR  
Repetitive Avalanche Current  
A
Current decayinglinearlytozeroin1µsec  
Frequencylimited byTJ max.Va=1.5xVr typical  
Electrical Specifications  
Parameters  
30BQ Units Conditions  
TJ = 25 °C  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
(1)  
0.35  
0.40  
0.30  
0.35  
V
V
V
V
@ 3A  
@ 6A  
@ 3A  
@ 6A  
TJ = 75 °C  
VR = rated VR  
IRM  
Max. Reverse Leakage Current (1)  
4
50  
mA TJ = 25 °C  
mA TJ = 100 °C  
CT  
LS  
Max. Junction Capacitance  
Typical Series Inductance  
1120  
3.0  
pF  
VR = 5VDC (test signal range 100KHz to 1Mhz) 25°C  
nH Measured lead to lead 5mm from package body  
V/µs (Rated VR)  
dv/dt Max. Voltage Rate of Change  
(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
10000  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
30BQ Units  
Conditions  
TJ  
Max. Junction Temperature Range (*) -55 to125 °C  
Tstg Max. StorageTemperature Range  
RthJL Max. Thermal Resistance  
-55 to150 °C  
12  
°C/W DC operation  
Junction to Lead  
RthJA Max. Thermal Resistance  
Junction to Ambient  
(**)  
46  
°C/W DC operation  
wt  
Approximate Weight  
Case Style  
0.24(0.008)g(oz.)  
SMC  
Similar to DO-214AB  
Device Marking  
IR3C  
(*) dPtot  
dTj  
1
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j-a)  
(**) Mounted 1 inch square PCB  
2
www.irf.com  
123456

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