2SJ550S

更新时间： 2024-02-26 09:35:40

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	59K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ550S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ550S 数据手册

2SJ550(L),2SJ550(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

1000

300

100

10 µs

DC Operation (Tc = 25°C)

Operation in

this area is

limited by R

DS(on)

0.3

0.1

Ta = 25 °C

(V)

100

150

200

0.1 0.3

100

Drain to Source Voltage

Case Temperature Tc (°C)

Typical Output Characteristics

–6 V

Typical Transfer Characteristics

–10 V

–20

–16

–12

–8

–20

–16

–12

–8

= –10 V

Pulse Test

–4 V

Pulse Test

–3.5 V

–3 V

25°C

Tc = 75°C

–4

–25°C

= –2.5 V

–8

–1

–2

–3

–4

–5

–2

–4

–6

–10

Gate to Source Voltage

(V)

Drain to Source Voltage

(V)

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