2SJ550(S)

更新时间： 2024-02-05 21:07:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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9页	95K
描述
0.155ohm, POWER, FET, LDPAK-3

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2SJ550(S) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ550(S) 数据手册

2SJ550(L), 2SJ550(S)

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

100

0.40

Pulse Test

0.32

Tc = –25°C

–5 A

–10 A

I_D= –15 A

0.24

0.16

0.08

25°C

V_GS= –4 V

75°C

0.3

0.1

V_DS= –10 V

Pulse Test

–5 A, –10 A, –15 A

–10 V

–40

120

160

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I_D(A)

Body-Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

500

10000

3000

1000

200

100

Ciss

300

100

Coss

Crss

di / dt = 50 A / µs

_GS= 0, Ta = 25°C

V_GS= 0

f = 1 MHz

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10 –20

–10

–20

–30

–40

–50

Reverse Drain Current I_DR(A)

Dynamic Input Characteristics

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Switching Characteristics

–20

1000

500

V_DD= –10 V

–25 V

–50 V

V_GS= –10 V, V_DD= –30 V

PW = 5 µs, duty ≤ 1 %

–4

200

100

V_GS

d(off)

–40

–8

V_DS

V_DD= –50 V

–25 V

–10 V

–60

–12

–16

–20

–80

d(on)

I_D= –15 A

–100

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10 –20

Gate Charge Qg (nc)

Drain Current I_D(A)

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 4 of 8

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