2SJ549

更新时间： 2024-01-05 03:41:35

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	58K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ549 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ549 数据手册

2SJ549(L),2SJ549(S)

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–10

–8

–6

–4

–2

= –12 A

= –25 V

duty < 0.1 %

Ω

Rg > 50

–10 V

= 0, 5 V

–5 V

Pulse Test

–0.4 –0.8 –1.2

–1.6

–2.0

(V)

100

125

150

Channel Temperature Tch (°C)

Source to Drain Voltage

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

DSS

– V

• L • I

•

DSS

Monitor

(BR)DSS

D. U. T

Vin

–15 V

50Ω

1...3 4 567 8 9

下载PDF

与2SJ549相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ549(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-262VAR	获取价格
2SJ549(L)\|2SJ549(S)	ETC		获取价格
2SJ549(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-263VAR	获取价格
2SJ549(S)-(1)	HITACHI	Transistor	获取价格
2SJ549(S)-(2)	HITACHI	Transistor	获取价格
2SJ549L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格