2SJ548

更新时间： 2024-01-01 17:47:46

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
页数	文件大小	规格书
9页	54K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ548 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	TO-220FM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ548 数据手册

2SJ548

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–4.0

–3.2

–2.4

–1.6

–0.8

Pulse Test

0.3

0.1

= –4 V

–10 V

= –15 A

–10 A

–5 A

0.03

0.01

–12

–4

–8

–16

–20

(V)

–0.1

–1

–3

–10 –30 –100

(A)

–0.3

Gate to Source Voltage

Drain Current

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

0.40

100

Pulse Test

0.32

0.24

0.16

0.08

Tc = –25 °C

= –15 A –10 A –5 A

25 °C

= –4 V

75 °C

–5, –10, –15 A

0.3

0.1

= –10 V

–10 V

Pulse Test

–40

120

160

–0.1

–1

–3

–10 –30 –100

–0.3

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current

(A)

1 2 345 6 7...9

下载PDF

与2SJ548相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ548-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ549	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ549	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ549(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-262VAR	获取价格
2SJ549(L)\|2SJ549(S)	ETC		获取价格
2SJ549(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-263VAR	获取价格