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2SJ520TP

更新时间： 2024-02-29 12:36:42
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251VAR

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2SJ520TP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.062 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ520TP 数据手册

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2SJ520  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
V
–20  
±10  
–10  
–40  
1
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
GSS  
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
A
DP  
W
W
˚C  
˚C  
Allowable Power Dissipation  
P
D
20  
Tc=25˚C  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
–20  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=–1mA, V =0  
D GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
I
=–20V, V =0  
–10  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±8V, V =0  
DS  
±10  
GSS  
V
(off)  
=–10V, I =–1mA  
D
–0.4  
8
–1.3  
GS  
| yfs |  
Forward Transfer Admittance  
=–10V, I =–5A  
D
12  
S
R
(on)1  
=–5A, V =–4V  
GS  
48  
70  
62  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
V
DS  
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
(on)2  
I
=–1A, V =–2.5V  
GS  
100  
DS  
D
Input Capacitance  
Ciss  
V
V
V
=–10V, f=1MHz  
950  
530  
160  
20  
DS  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Coss  
Crss  
=–10V, f=1MHz  
DS  
=–10V, f=1MHz  
DS  
t
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
d(on)  
t
200  
230  
230  
30  
r
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t
d(off)  
t
f
Qg  
Total Gate Charge  
V
V
V
=–10V, V =–10V, I =–5A  
GS  
DS  
DS  
DS  
D
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain "Miller" Charge  
Diode Forward Voltage  
Qgs  
Qgd  
=–10V, V =–10V, I =–5A  
GS  
5
D
=–10V, V =–10V, I =–5A  
GS  
7
D
V
I =–5A, V =0  
GS  
–1.0  
–1.5  
SD  
S
Marking : J520  
Switching Time Test Circuit  
V
=--10V  
DD  
V
IN  
I
=--5A  
D
0V  
--4V  
R =2Ω  
L
D
V
OUT  
V
IN  
PW=10µs  
D.C.≤1%  
G
P. G  
2SJ520  
50Ω  
S
No.6435–2/4  
1234

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