2SJ517YYTL

更新时间： 2024-02-09 11:17:51

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日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ517YYTL 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.43 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ517YYTL 数据手册

2SJ517

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–1.0

Pulse Test

0.5

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

= –2.5 V

–4 V

0.2

0.1

0.05

= –2 A

–1 A

0.02

0.01

–0.5 A

Pulse Test

–0.5 –1

Drain Current

–4

Gate to Source Voltage

–2

–6

–8

–10

(V)

–0.1

–2

–5 –10

(A)

–0.2

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

0.5

Pulse Test

= –2 A

Tc = –25 °C

0.4

0.3

0.2

0.1

–1 A

–0.5 A

= –2.5 V

75 °C

25 °C

–0.5, –1, –2 A

0.5

–4 V

0.2

0.1

= –10 V

Pulse Test

–40

120

160

–0.1

–0.5 –1

–2 –5 –10

–0.2

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current

(A)

1 2 345 6 7 8

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