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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 936 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ402(SM) | TOSHIBA | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,30A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SJ402_07 | TOSHIBA | DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SJ402_09 | TOSHIBA | DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SJ402S1B | TOSHIBA | 2SJ402S1B |
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| 2SJ403 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ404 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |
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